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KWRFF100R12F2BM

特征
采用沟槽栅场截止型IGBT芯片
低开关损耗
短路承受时间10μs
高可靠性及热稳定性,良好的参数一致性
饱和压降为正温度系数
内置反并联快恢复二极管
 
详细参数

Type

Family

Package

Switching Speed

VCES

IC

VCE(sat)

tf (typ)  (ns)

Eoff

Vf

推 荐 应 用

(V)

 @ 100 (A)

@25  typ (V)

 @25 typ (mJ)

@25 typV

KWRFF100R12F2BM

Power Modules

M1

Fast

1200

100

2.48

45

5

2.05

逆变焊机/商灶


KWRFF100R12F2BM中文数据手册下载

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