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KWNFP100R12NS3

特征
采用最新沟槽栅场截止型IGBT芯片
集成NTC温度传感器
高可靠性及热稳定性,良好的参数一致性
低通态损耗(VCE=2.0V)
低关断损耗 (Eoff=5.10mJ)
高短路耐量(>10us)
应用领域
电机传动
伺服驱动器 等
 
详细参数

Type

Family

Package

Switching Speed

VCES

(V)

IC

 @ 100 (A)

VCE(sat)

@25  typ (V)

tf (typ)  (ns)

Eoff

 @25 typ (mJ)

Vf

@25 typV

KWNFP100R12NS3

Power Modules

L2(对应KT4)

Fast

1200

100

2.1

89

7.6

2.05

通用变频器


KWNFP100R12NS3中文数据手册下载

KWNFP100R12NS3英文数据手册下载

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