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中科君芯受理专利情况一览表更新

发布日期:2013-11-24    【字号:  
经我司研发团队全体成员共同努力,截至目前受理和获得授权各类专利共计92项 

      专利清单列表如下:

序号专利名称发明类型申请号
1超结的制作方法发明专利201210519863.0
2逆阻型绝缘栅双极晶体管的制作方法201310102479.5
3一种功率半导体器件及其形成方法201310025255.9
4一种IGBT器件及其形成方法201210499322.6
5一种IGBT器件及其制作方法201210418809.7
6用于半导体功率器件的沟槽式终端及其制备方法201210370720.8
7采用质子辐照制备终端结构的方法201210370852.0
8FRD的制备方法201210371807.7
9一种IGBT结构及其制作方法 201310087246.2
10用于半导体功率器件的终端201210371127.5
11一种逆导型IGBT器件及其形成方法201210500942.7
12一种逆导型IGBT器件201210501722.6
13IGBT器件及其制作方法201210426232.4
14一种IGBT及其制作方法201210530076.6
15一种绝缘栅双极型晶体管201210526368.2
16一种绝缘栅双极型晶体管及其制作方法201210526416.8
17一种绝缘互联散热板及功率模块201210418921.0
18一种半导体器件及其制作方法201210506054.6
19一种功率器件的制备方法 201310086257.9
20一种带缓冲层的低压IGBT及其制作方法 201310085560.7
21一种隧穿型逆导IGBT及其制造方法201210540050.X
22PIN超结结构 201310085640.2
23一种沟槽型IGBT及其制造方法201210540052.9
24一种沟槽型IGBT结构的制作方法 201310085577.2
25一种终端与有源区形成弱电连接的结构及其设计方法 201310086213.6
26一种增强微穿通型IGBT201210540053.3
27一种功率器件—TI-IGBT的结构及其制备方法 201310086221.0
28功率器件-MPT-TI-IGBT的结构及其制备方法 201310085533.X 
29EMPT-TI-IGBT器件的结构及其制备方法 201310085535.9
30一种电场阻断型IGBT结构的制备方法 201310086227.8
31一种IGBT短路集电极结构的制备方法 201310086224.4
32一种IGBT的缓冲层结构及其制作方法 201310085624.3
33用于绝缘栅双极晶体管的防闩锁终端区 201310086355.2
34逆导型IGBT的集电极结构及其制备方法201210524694.X
35逆导型IGBT的背面结构及其制备方法201210526482.5
36逆导型IGBT的制备方法201210526292.3
37一种中高压沟槽型功率器件的终端结构及其制作方法 201310086262.X 
38一种平面型IGBT结构的制备方法 201310085579.1
39一种三模式集成绝缘栅型双极晶体管及其形成方法201210519798.1
40RC-IGBT及其制作方法201210519817.0
41IGBT及其元胞结构、以及IGBT的形成方法201210520131.3
42ITC-IGBT及其制作方法201210519402.3
43一种绝缘栅双极型晶体管及其制作方法201310058786.8
44IGBT及其制作方法201210509411.4
45一种穿通型IGBT及其制作方法201210510311.3
46一种绝缘栅场效应晶体管及其制作方法201210551729.9
47 一种带FS层的PT型功率器件的制作方法201210543954.8
48一种IGBT结构及其制备方法201210526291.9
49一种逆导型绝缘栅双极晶体管结构及其制备方法201210524692.0
50采用金属硅化物的功率半导体器件结构及制备方法201210421076.2
51钝化半导体接触表面的功率半导体器件的集电极结构及制备方法201210449247.2
52逆导IGBT器件结构及制造方法201210372401.0
53功率半导体器件的背面集电极结构201310013013.8
54逆导IGBT器件及制造方法201210476017.5
55功率半导体器件的集电极结构201310012548.3
56绝缘栅双极晶体管的集电极背面结构201310013014.2
57IGBT集电极结构(发明专利)201210494615.5
58一种IGBT集电极结构及其制备方法201310008968.4
59一种高压半导体器件及其终端实用新型201220505060.5
60一种半导体功率器件201220652041.5
61一种IGBT201220657534.8
62一种半导体器件201220647148.0
63一种中高压IGBT终端 201320121922.9
64一种IGBT的版图布局 201320121908.9
65绝缘栅型双极晶体管 201320123024.7
66一种有源区金属与终端区形成电连接的版图 201320121934.1
67结终端延伸的终端版图结构及其终端结构 201320121865.4
68一种在IGBT或者VDMOS上形成的沟槽201220688948.7
69一种逆导型IGBT的背面版图布局201220689587.8
70一种IGBT版图201220587115.1
71一种IGBT版图201220586619.1
72一种IGBT版图201220652972.5
73一种IGBT功率模块测试夹具201220672107.7
74用于两单元73毫米功率器件模块电容的测试装置201320024327.3
75用于IGBT两单元功率器件模块动态特性的测试装置201320024496.7
76一种适用于dummy-trench功率器件的版图201220702762.2
77一种沟槽型IGBT版图结构201220674679.9
78一种IGBT版图201220672867.8
79一种检测电磁炉IGBT壳温的温控装置201220589990.3
80塑封引线框架201220641901.5
81IGBT背面集电极结构201320013251.4
82IGBT芯片版图布局结构201320012538.5
83超结的制作方法PCTPCT/CN2012/085993
84RB-IGBT的制作方法PCT/CN2012/085995
85一种功率半导体器件及其形成方法PCT/CN2012/083826
86用于半导体功率器件的沟槽式终端及其制备方法PCT/CN2012/088087
87一种高压超结IGBT的制作方法PCT/CN2012/088053
88一种TI-IGBT及其形成方法PCT/CN2012/086016
89RC-IGBT及其制作方法PCT/CN2012/086018
90IGBT及其元胞结构、以及IGBT的形成方法PCT/CN2012/085999
91ITC-IGBT及其制作方法PCT/CN2012/086001
92一种IGBT结构及其制备方法PCT/CN2012/088110

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